En lugar de chips de inteligencia artificial de última generación, la fábrica se centrará en la memoria DRAM y NAND heredada, informó Reuters. Anualmente, se proyecta que la planta maneje 153.3 mil millones de gigabits de DRAM y 255.6 mil millones de gigabits de salida NAND, según el documento de propuesta. La presión sobre los suministros de memoria convencional se ha intensificado porque los principales fabricantes de chips han redirigido gran parte de su ancho de banda de fabricación hacia productos orientados a la inteligencia artificial, señaló Reuters.